IXFP22N65x2GydF4y2Ba-X2级系列GydF4y2Ba

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这些新设备是使用电荷补偿原理和专有过程技术开发的,表现出最低的州电阻,以及低门电荷和出色的DV/DT性能。他们的雪崩功能还可以增强设备坚固度。GydF4y2Ba

此外,由于快速的软恢复身体二极管,超结MOSFET有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。GydF4y2Ba

特征:GydF4y2Ba

  • 超低抗性rGydF4y2BaDS(ON)GydF4y2Ba和栅极电荷QGydF4y2BaGGydF4y2Ba
  • 快速身体二极管GydF4y2Ba
  • DV/DT崎GydF4y2Ba
  • 雪崩等级GydF4y2Ba
  • 低包装电感GydF4y2Ba
  • 国际标准套餐GydF4y2Ba

优点:GydF4y2Ba

  • 效率更高GydF4y2Ba
  • 高功率密度GydF4y2Ba
  • 容易安装GydF4y2Ba
  • 节省空间GydF4y2Ba

应用程序:GydF4y2Ba

  • 工业切换模式和谐振电源GydF4y2Ba
  • 电动汽车电池充电器GydF4y2Ba
  • AC和DC电动机驱动器GydF4y2Ba
  • DC-DC转换器GydF4y2Ba
  • 可再生能源逆变器GydF4y2Ba
  • 功率因数校正(PFC)电路GydF4y2Ba
  • 机器人和伺服控制GydF4y2Ba
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