电容器增加电流并将功率因数增加到电动机。
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这些设备在低电感中具有低RS(ON)和低QG行业标准软件包。它们使高功率密度,易于安装和节省空间的机会SMP,DCDC转换器,PFC电路,AC中的理想解决方案和直流电动机驱动器以及机器人/伺服控件。
600V -1000V Ultra Juntion Power MOSFET带有HIPERFET™选项
vDSS(v):600、650、850、1000
rDS(ON),最大@ 25℃(欧姆):0.033、0.038、0.041、0.051、0.055、0.065、0.066、0.068、0.073、0.089更多的
我D,续@ 25℃(a):3.5、8、9.5、14、18、20、24、26、30、32更多的
600V - 700V Power MOSFETs with HiPerFET™ Options
vDSS(v):600、650、700
rDS(ON),最大@ 25℃(欧姆):0.013、0.017、0.023、0.024、0.03、0.033、0.038、0.05、0.052、0.065更多的
我D,续@ 25℃(a):2、4、8、12、14、18、20、22、24、34更多的
150V -650V N通道超连接电源MOSFET带有HIPERFET™选项
电压等级(V):650
vDSS(v):150、200、250、300、600、650
rDS(ON),最大@ 25℃(欧姆):0.0025、0.003、0.0035、0.004、0.0045、0.0046、0.005、0.0054、0.0055、0.0062更多的
135V -200V N通道超连接电源MOSFET带有HiperFet™选项
vDSS(v):135、150、200
rDS(ON),最大@ 25℃(欧姆):0.0031、0.0044、0.0055、0.0063、0.0069、0.0072、0.008、0.0085、0.0095、0.095、0.0106更多的
我D,续@ 25℃(a):60、86、94、100、120、130、150、170、220、240更多的
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