LSIC1MO120E0160系列 - 增强模式SIC MOSFET,1200 V,160 MOHM,N通道

系列: LSIC1MO120E0160
电力半导体硅碳化物LSIC1MO120E0160图像
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Littelfuse Silicon Carbide(SIC)MOSFET LSIC1MO120E0160 1200 V在TO-247-3L包装中以1200 V为1200 V,160 MOHM。

特征:

  • 针对高频,高效应用优化
  • 极低的门电荷和输出电容
  • 高频切换的低门阻力
  • 通常在所有温度下进行操作
  • 超低抗性

应用程序:

  • 太阳逆变器
  • 开关模式电源供应
  • UPS
  • 电动机驱动器
  • 高压DC/DC转换器
  • 感应加热

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目录 # 电压等级(V) 典型的抗性(MOHM) 当前评分(a) 门电(NC) 配置 地位 驾驶电压(V) 切换能量(UJ) Rohs tj最大(°C) 检查库存 合作伙伴ECAD模型 库存 样品
LSIC1MO120E0160 1200 160 14 57 N通道 积极的 20/-5 136 是的 150 是的 LSIC1MO120E0160 查看 命令
部分 # 部分说明 Rohs 无PB ROHS(2015/863/ eu)证书 达到(SVHC)声明 无卤素 到达(SVHC) IPC材料声明
LSIC1MO120E0160 1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-247-3L Rohs08/02/2021 pbfree08/02/2021 COC_ROHS9_LSIC1MO120E0160 是的
08/02/2021
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