IXTH48P20P- Polar™系列

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Polar™ P-Channel MOSFETS are fabricated using our Polar technology platform, which significantly reduces the on-state resistance (RDS)乘以30%和栅极电荷(Qg) by 40% in comparison to legacy counterparts, resulting in lower conduction loss and providing excellent switching performance. They are dynamic dv/dt and avalanche rated making them extremely rugged in demanding operating environments and can easily be paralleled due to an on-state resistance with positive temperature coefficient.

这些MOSFET在各种应用中都是理想的,具有一流的性能和竞争性定价。应用包括推杆放大器,雄鹿转换器,直流斩波器,电源固态继电器,CMOS高功率放大器,高电流调节器以及汽车和测试设备中的高侧开关。极性P通道电源MOSFET的优势耐力使它们成为适合电机控制和电源截止开关或电源SSR的设备,用于节能应用。

特征:

  • 快速固有二极管
  • Rugged PolarP™ process
  • Avalanche rated
  • 低包装电感
  • Dynamic dv/dt rated

好处:

  • 低门充电导致简单的驱动要求
  • 高功率密度
  • Easy to parallel
  • Fast switching

Applications:

  • High-side switching
  • Push pull amplifiers
  • DC-DC and DC-AC converters
  • 自动测试设备
  • Battery charger applications
  • Current regulators
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