Gen3系列 - 带有HIPERFET™选项的60V沟槽门电源MOSFET

系列: Gen3
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Littelfuse离散MOSFET gen3图像
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60V TRECHT3™功率MOSFET代表低压沟槽MOSFET产品线的扩展。这些设备的抗性低至3.1毫米,因此设计用于高功率密度,开关模式的电源转换应用。

这些MOSFET可以承受高达175°C的连接温度,并在高雪崩电流水平上进行雪崩,从而确保了苛刻的工业应用中的设备坚固性。由于其高电流携带能力,可能不需要并行多个设备,从而简化了电源系统并同时提高了其可靠性。此外,快速固有的身体二极管有助于实现高效率,尤其是在高速切换期间。

特征:

  • 超低抗性rDS(ON)
  • 高电流处理能力
  • 雪崩等级
  • 快速身体二极管
  • 175°C工作温度
  • 国际标准软件包

优点:

  • 高功率密度
  • 容易安装
  • 节省空间

应用程序:

  • 离线不间断电源(UPS)
  • DC-DC转换器
  • 拉丝/无刷直流电动机
  • 高电流开关电源
  • 主要侧开关
  • 电叉车
  • 轻型电动汽车(LEV)
  • 无绳电器和电动工具
  • 无人驾驶汽车(UAV)

访问规格,认证,检查可用性和订购零件以下

目录 # vDSS(v) rDS(ON),最大@ 25℃(欧姆) D,续@ 25℃(a) 门电(NC) rTHJC(K/W) 配置 包装类型 地位 CISS(PF) tRR,典型(NS) pd(W) 检查库存 部分数据表 合作伙伴ECAD模型 库存 样品 比较
IXFA220N06T3 60 0.004 220 136 0.34 单身的 TO-263HV 积极的 8500 38 440 是的 部分 IXFA220N06T3 查看 命令
IXFA270N06T3 60 0.0031 270 200 0.31 单身的 TO-263 积极的 12600 47 480 是的 部分 IXFA270N06T3 查看 命令
IXFH220N06T3 60 0.004 220 136 0.34 单身的 TO-247 积极的 8500 38 440 是的 部分 IXFH220N06T3 查看 命令
IXFH270N06T3 60 0.0031 270 200 0.31 单身的 TO-247 积极的 12600 47 480 是的 部分 IXFH270N06T3 查看 命令
IXFP220N06T3 60 0.004 220 136 0.34 单身的 TO-220 积极的 8500 38 440 是的 部分 IXFP220N06T3 查看 命令
IXFP270N06T3 60 0.0031 270 200 0.31 单身的 TO-220 积极的 12600 47 480 是的 部分 IXFP270N06T3 查看 命令
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