Fast Recovery Epitaxial Diodes (FREDs)

HP Sonic FRD

  • 电气特性
    • 目录 #E0460QC45E
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W68
    • VRRM[二极管](v)4500
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)533
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)6800
    • I2t [diode](a2s)231 x 10³
    • IRM(A)460
    • tRR,典型(µs)1.15
    • Qrr(µC)685
    • V0(V)2.246
    • rS(mohm)2.716
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.0274
    • 部分数据表
    • 目录 #E0660NC45E
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W5
    • VRRM[二极管](v)4500
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)760
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)9160
    • I2t [diode](a2s)420 x 10³
    • IRM(A)700
    • tRR,典型(µs)1.1
    • Qrr(µC)1050
    • V0(V)2.194
    • rS(mohm)1.814
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.02
    • 部分数据表
    • 目录 #E0660NH45E
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W47
    • VRRM[二极管](v)4500
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)760
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)9160
    • I2t [diode](a2s)420 x 10³
    • IRM(A)700
    • tRR,典型(µs)1.1
    • Qrr(µC)1050
    • V0(V)2.194
    • rS(mohm)1.814
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.02
    • 目录 #E1250HC45E
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W122
    • VRRM[二极管](v)4500
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)1355
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)20500
    • I2t [diode](a2s)2.11 x 10⁶
    • IRM(A)1000
    • tRR,典型(µs)1.2
    • Qrr(µC)1850
    • V0(V)2.072
    • rS(mohm)1.166
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.0105
    • 部分数据表
    • 目录 #E1500MC33E
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W54
    • VRRM[二极管](v)3300
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)1580
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)17330
    • I2t [diode](a2s)1.5x 10⁶
    • IRM(A)1380
    • tRR,典型(µs)1.85
    • Qrr(µC)2040
    • V0(V)1.509
    • rS(mohm)0.464
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.0162
    • 部分数据表
    • 目录 #E1500NC36P
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W5
    • VRRM[二极管](v)3600
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)1280
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)17050
    • I2t [diode](a2s)1.45 x 10⁶
    • IRM(A)1425
    • tRR,典型(µs)2.8
    • Qrr(µC)2750
    • V0(V)1.417
    • rS(mohm)0.656
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.019
    • 目录 #E1500NC42P
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W5
    • VRRM[二极管](v)4200
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)1280
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)17050
    • I2t [diode](a2s)1.45 x 10⁶
    • IRM(A)1425
    • tRR,典型(µs)2.8
    • Qrr(µC)2750
    • V0(V)1.417
    • rS(mohm)0.656
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.019
    • 目录 #E1500NC48P
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W5
    • VRRM[二极管](v)4800
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)1280
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)17050
    • I2t [diode](a2s)1.45 x 10⁶
    • IRM(A)1425
    • tRR,典型(µs)2.8
    • Qrr(µC)2750
    • V0(V)1.417
    • rS(mohm)0.656
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.019
    • 目录 #E1500NH36P
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W47
    • VRRM[二极管](v)3600
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)1280
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)17050
    • I2t [diode](a2s)1.45 x 10⁶
    • IRM(A)1425
    • tRR,典型(µs)2.8
    • Qrr(µC)2750
    • V0(V)1.417
    • rS(mohm)0.656
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.019
    • 目录 #E1500NH42P
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W47
    • VRRM[二极管](v)4200
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)1280
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)17050
    • I2t [diode](a2s)1.45 x 10⁶
    • IRM(A)1425
    • tRR,典型(µs)2.8
    • Qrr(µC)2750
    • V0(V)1.417
    • rS(mohm)0.656
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.019
    • 目录 #E1500NH48P
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W47
    • VRRM[二极管](v)4800
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)1280
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)17050
    • I2t [diode](a2s)1.45 x 10⁶
    • IRM(A)1425
    • tRR,典型(µs)2.8
    • Qrr(µC)2750
    • V0(V)1.417
    • rS(mohm)0.656
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.019
    • 部分数据表
    • 目录 #E1780TG65E
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W125
    • VRRM[二极管](v)6500
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)1780年
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)25600
    • I2t [diode](a2s)3.29 x10⁶
    • IRM(A)1750年
    • tRR,典型(µs)1.22
    • Qrr(µC)3500
    • V0(V)2.021
    • rS(mohm)0.983
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.0077
    • 部分数据表
    • 目录 #E1800TC45E
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W28
    • VRRM[二极管](v)4500
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)2215
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)29050
    • I2t [diode](a2s)4.22 x 10⁶
    • IRM(A)1490
    • tRR,典型(µs)1.15
    • Qrr(µC)2800
    • V0(V)2.171
    • rS(mohm)0.634
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.0068
    • 部分数据表
    • 目录 #E2400EC45E
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W111
    • VRRM[二极管](v)4500
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)2490
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)32100
    • I2t [diode](a2s)5.15 x10⁶
    • IRM(A)2130
    • tRR,典型(µs)1.22
    • Qrr(µC)3900
    • V0(V)2.114
    • rS(mohm)0.646
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.0056
    • 部分数据表
    • 目录 #E3000EC45E
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W111
    • VRRM[二极管](v)4500
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)3410
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)45700
    • I2t [diode](a2s)10.5 x 10⁶
    • IRM(A)3050
    • tRR,典型(µs)1.25
    • Qrr(µC)5000
    • V0(V)2.124
    • rS(mohm)0.339
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.005
    • 部分数据表
    • 目录 #E4000FD45E
    • TJ最大(°C)140
    • 包装类型W59
    • VRRM[二极管](v)4500
    • IFAV@ Tk=55 ℃ (A)4210
    • IFSM10ms Half Sine Wave (A)54800
    • I2t [diode](a2s)15.0 x10⁶
    • IRM(A)3650
    • tRR,典型(µs)1.5
    • Qrr(µC)5750
    • V0(V)2.117
    • rS(mohm)0.351
    • RthJK180°正弦波(K/W)0.0035
    • 部分数据表